sims+ 二次離子質(zhì)譜
本專題涉及sims+ 二次離子質(zhì)譜的標(biāo)準(zhǔn)有32條。
國際標(biāo)準(zhǔn)分類中，sims+ 二次離子質(zhì)譜涉及到分析化學(xué)、半導(dǎo)體材料、微生物學(xué)、光學(xué)和光學(xué)測量。
在中國標(biāo)準(zhǔn)分類中，sims+ 二次離子質(zhì)譜涉及到光學(xué)計量儀器、基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)與通用方法、化學(xué)、半金屬與半導(dǎo)體材料綜合、基礎(chǔ)學(xué)科綜合。
美國材料與試驗協(xié)會，關(guān)于sims+ 二次離子質(zhì)譜的標(biāo)準(zhǔn)
- ASTM E1504-11(2019) 二次離子質(zhì)譜法（SIMS）中質(zhì)譜數(shù)據(jù)報告的標(biāo)準(zhǔn)實施規(guī)程
- ASTM E1162-87(1996) 二次離子質(zhì)譜法(SIMS)中報告濺射深度截面數(shù)據(jù)
- ASTM E1162-87(2001) 二次離子質(zhì)譜法(SIMS)中報告濺射深度截面數(shù)據(jù)
- ASTM E1635-95(2000) 二次離子質(zhì)譜（SIMS）中成像數(shù)據(jù)報告的標(biāo)準(zhǔn)實施規(guī)程
- ASTM E1635-06(2019) 二次離子質(zhì)譜（SIMS）中成像數(shù)據(jù)報告的標(biāo)準(zhǔn)實施規(guī)程
- ASTM E1504-92(2001) 次級離子質(zhì)譜(SIMS)測定中質(zhì)譜數(shù)據(jù)報告的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范
- ASTM E1504-92(1996) 次級離子質(zhì)譜(SIMS)測定中質(zhì)譜數(shù)據(jù)報告的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范
- ASTM E1504-06 次級離子質(zhì)譜法(SIMS)中質(zhì)譜數(shù)據(jù)報告的標(biāo)準(zhǔn)實施規(guī)程
- ASTM E1635-06(2011) 次級離子質(zhì)譜法(SIMS)成像數(shù)據(jù)報告標(biāo)準(zhǔn)規(guī)程
- ASTM E1162-11(2019) 二次離子質(zhì)譜法（SIMS）中濺射深度剖面數(shù)據(jù)報告的標(biāo)準(zhǔn)實施規(guī)程
- ASTM E1635-06 報告次級離子質(zhì)譜法(SIMS)成像數(shù)據(jù)用標(biāo)準(zhǔn)實施規(guī)程
- ASTM E1438-91(2001) 用次級離子質(zhì)譜法(SIMS)測量濺射深度成形界面的寬度
- ASTM E1438-91(1996) 用次級離子質(zhì)譜法(SIMS)測量濺射深度成形界面的寬度
- ASTM E1881-12 用次級離子質(zhì)譜法 (SIMS) 對細胞培養(yǎng)分析的標(biāo)準(zhǔn)指南
- ASTM E1881-06 用次級離子質(zhì)譜法(SIMS)進行細胞培養(yǎng)分析的標(biāo)準(zhǔn)指南
- ASTM E1880-06 用次級離子質(zhì)譜法(SIMS)進行組織低溫截面分析的標(biāo)準(zhǔn)實施規(guī)程
- ASTM E1438-06 用次級離子質(zhì)譜法(SIMS)測量深度摻雜分布界面寬度標(biāo)準(zhǔn)指南
瑞典標(biāo)準(zhǔn)研究所，關(guān)于sims+ 二次離子質(zhì)譜的標(biāo)準(zhǔn)
- ASTM E1635-11 二次離子質(zhì)譜（SIMS）成像數(shù)據(jù)報告標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范
國家質(zhì)檢總局，關(guān)于sims+ 二次離子質(zhì)譜的標(biāo)準(zhǔn)
- GB/T 40129-2021 表面化學(xué)分析 二次離子質(zhì)譜 飛行時間二次離子質(zhì)譜儀質(zhì)量標(biāo)校準(zhǔn)
- GB/T 43663-2024 表面化學(xué)分析 二次離子質(zhì)譜 靜態(tài)二次離子質(zhì)譜相對強度標(biāo)的重復(fù)性和一致性
國際標(biāo)準(zhǔn)化組織，關(guān)于sims+ 二次離子質(zhì)譜的標(biāo)準(zhǔn)
- ISO 13084:2018 表面化學(xué)分析 - 二次離子質(zhì)譜法 - 用于飛行時間二次離子質(zhì)譜儀的質(zhì)譜的校準(zhǔn)
- ISO 13084:2011 表面化學(xué)分析.二次離子質(zhì)譜分析法.飛行時間二次離子質(zhì)譜儀用質(zhì)量標(biāo)度的校準(zhǔn)
海灣阿拉伯國家合作委員會標(biāo)準(zhǔn)組織，關(guān)于sims+ 二次離子質(zhì)譜的標(biāo)準(zhǔn)
- GSO ISO 13084:2013 表面化學(xué)分析 二次離子質(zhì)譜 飛行時間二次離子質(zhì)譜儀的質(zhì)量標(biāo)度校準(zhǔn)
阿曼規(guī)格和計量局，關(guān)于sims+ 二次離子質(zhì)譜的標(biāo)準(zhǔn)
- OS GSO ISO 13084:2013 表面化學(xué)分析 二次離子質(zhì)譜 飛行時間二次離子質(zhì)譜儀的質(zhì)量標(biāo)度校準(zhǔn)
英國標(biāo)準(zhǔn)學(xué)會，關(guān)于sims+ 二次離子質(zhì)譜的標(biāo)準(zhǔn)
- BS ISO 13084:2011 表面化學(xué)分析.二次離子質(zhì)譜.飛行時間二次離子質(zhì)譜用質(zhì)量標(biāo)度的校準(zhǔn)
- BS ISO 20411:2018 表面化學(xué)分析 二次離子質(zhì)譜分析 單離子計數(shù)動態(tài)二次離子質(zhì)譜飽和強度校正方法
- BS ISO 13084:2018 表面化學(xué)分析 二次離子質(zhì)譜分析 飛行時間二次離子質(zhì)譜儀的質(zhì)量標(biāo)度校準(zhǔn)
- 25/30500395 DC BS ISO 13084 表面化學(xué)分析 二次離子質(zhì)譜法 飛行時間二次離子質(zhì)譜儀質(zhì)量標(biāo)度的校準(zhǔn)
- 10/30199193 DC BS ISO 13084 表面化學(xué)分析 二次離子質(zhì)譜法 飛行時間二次離子質(zhì)譜儀質(zhì)量標(biāo)度的校準(zhǔn)
巴林國家計量局，關(guān)于sims+ 二次離子質(zhì)譜的標(biāo)準(zhǔn)
- BH GSO ISO 13084:2016 表面化學(xué)分析 二次離子質(zhì)譜 飛行時間二次離子質(zhì)譜儀的質(zhì)量標(biāo)度校準(zhǔn)
日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)調(diào)查會，關(guān)于sims+ 二次離子質(zhì)譜的標(biāo)準(zhǔn)
- JIS K 0157:2021 表面化學(xué)分析. 二次離子質(zhì)譜法. 渡越時間二次離子質(zhì)譜儀的質(zhì)量標(biāo)度的校準(zhǔn)
- JIS K 0158:2021 表面化學(xué)分析. 二次離子質(zhì)譜法. 單離子計數(shù)動態(tài)二次離子質(zhì)譜法中飽和強度的校正方法
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可能用到的儀器設(shè)備
