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二次離子譜法

本專題涉及二次離子譜法的標(biāo)準(zhǔn)有26條。

國際標(biāo)準(zhǔn)分類中，二次離子譜法涉及到分析化學(xué)、金屬材料試驗(yàn)。

在中國標(biāo)準(zhǔn)分類中，二次離子譜法涉及到基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)與通用方法、半金屬及半導(dǎo)體材料分析方法、光學(xué)計(jì)量儀器。

日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)調(diào)查會，關(guān)于二次離子譜法的標(biāo)準(zhǔn)

• JIS K 0153:2015 表面化學(xué)分析. 二次離子質(zhì)譜法. 靜態(tài)二次離子質(zhì)譜法中相對強(qiáng)度范圍的重復(fù)性和穩(wěn)定性
• JIS K 0158:2021 表面化學(xué)分析. 二次離子質(zhì)譜法. 單離子計(jì)數(shù)動(dòng)態(tài)二次離子質(zhì)譜法中飽和強(qiáng)度的校正方法
• JIS K 0168:2011 表面化學(xué)分析.靜態(tài)二次離子質(zhì)譜法用信息格式
• JIS K 0157:2021 表面化學(xué)分析. 二次離子質(zhì)譜法. 渡越時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀的質(zhì)量標(biāo)度的校準(zhǔn)
• JIS K 0156:2018 表面化學(xué)分析-二次離子質(zhì)譜法-使用多δ層參考材料的硅深度校準(zhǔn)方法
• JIS K 0155:2018 表面化學(xué)分析 二次離子質(zhì)譜法 單離子計(jì)數(shù)時(shí)間飛行質(zhì)量分析儀中強(qiáng)度刻度的線性度

國際標(biāo)準(zhǔn)化組織，關(guān)于二次離子譜法的標(biāo)準(zhǔn)

• ISO 20411:2018 表面化學(xué)分析.二次離子質(zhì)譜法.單離子計(jì)數(shù)動(dòng)態(tài)二次離子光譜法中飽和強(qiáng)度的校正方法
• ISO 17560:2014 表面化學(xué)分析 - 二次離子質(zhì)譜法 - 硅在硅中深度分析的方法
• ISO 13084:2018 表面化學(xué)分析 - 二次離子質(zhì)譜法 - 用于飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀的質(zhì)譜的校準(zhǔn)
• ISO/TS 22933:2022 表面化學(xué)分析.二次離子質(zhì)譜法.模擬離子質(zhì)譜中質(zhì)量分辨率的測量方法
• ISO 178:1975 表面化學(xué)分析.二次離子質(zhì)譜法.單離子計(jì)數(shù)飛行時(shí)間質(zhì)量分析儀中強(qiáng)度標(biāo)度的線性
• ISO 17862:2013 表面化學(xué)分析——二次離子質(zhì)譜法——單離子計(jì)數(shù)飛行時(shí)間質(zhì)量分析儀中強(qiáng)度標(biāo)度的線性
• ISO 178:2019 表面化學(xué)分析.二次離子質(zhì)譜法.單離子計(jì)數(shù)飛行時(shí)間質(zhì)量分析儀中強(qiáng)度標(biāo)度的線性
• ISO 17862:2022 表面化學(xué)分析.二次離子質(zhì)譜法.單離子計(jì)數(shù)飛行時(shí)間質(zhì)量分析儀中強(qiáng)度標(biāo)度的線性

國家質(zhì)檢總局，關(guān)于二次離子譜法的標(biāo)準(zhǔn)

• GB/T 42263-2022 硅單晶中氮含量的測定 二次離子質(zhì)譜法
• GB/T 32281-2015 太陽能級硅片和硅料中氧、碳、硼和磷量的測定 二次離子質(zhì)譜法
• GB/T 42274-2022 氮化鋁材料中痕量元素（鎂、鎵）含量及分布的測定 二次離子質(zhì)譜法

美國材料與試驗(yàn)協(xié)會，關(guān)于二次離子譜法的標(biāo)準(zhǔn)

• ASTM E1162-87(2001) 二次離子質(zhì)譜法(SIMS)中報(bào)告濺射深度截面數(shù)據(jù)
• ASTM E1162-87(1996) 二次離子質(zhì)譜法(SIMS)中報(bào)告濺射深度截面數(shù)據(jù)
• ASTM E1504-11(2019) 二次離子質(zhì)譜法（SIMS）中質(zhì)譜數(shù)據(jù)報(bào)告的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施規(guī)程
• ASTM E2695-09 用飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜法說明質(zhì)譜數(shù)據(jù)獲取的標(biāo)準(zhǔn)指南
• ASTM E1162-11(2019) 二次離子質(zhì)譜法（SIMS）中濺射深度剖面數(shù)據(jù)報(bào)告的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施規(guī)程

國家市場監(jiān)督管理總局、中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會，關(guān)于二次離子譜法的標(biāo)準(zhǔn)

• GB/T 39144-2020 氮化鎵材料中鎂含量的測定 二次離子質(zhì)譜法
• GB/T 41153-2021 碳化硅單晶中硼、鋁、氮雜質(zhì)含量的測定 二次離子質(zhì)譜法

韓國科技標(biāo)準(zhǔn)局，關(guān)于二次離子譜法的標(biāo)準(zhǔn)

• KS D ISO 18114-2005(2020) 表面化學(xué)分析二次離子質(zhì)譜法離子注入標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)相對靈敏度因子的測定
• KS D ISO 20341-2005(2020) 表面化學(xué)分析二次離子質(zhì)譜法用多δ層標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)估算深度分辨參數(shù)的方法

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可能用到的儀器設(shè)備