GB/T 1558-2023 硅中代位碳含量的紅外吸收測試方法

Infrared absorption test method for substituted carbon content in silicon

GB/T 35306-2023 硅單晶中碳、氧含量的測定 低溫傅立葉變換紅外光譜法

Determination of Carbon and Oxygen Content in Silicon Single Crystal Low Temperature Fourier Transform Infrared Spectroscopy

GB/T 24582-2023 多晶硅表面金屬雜質(zhì)含量測定 酸浸取-電感耦合等離子體質(zhì)譜法

Determination of metal impurity content on polysilicon surface by acid leaching-inductively coupled plasma mass spectrometry

GB/T 42276-2022 氮化硅粉體中氟離子和氯離子含量的測定 離子色譜法

本文件描述了氮化硅粉體中氟離子和氯離子含量的離子色譜測定方法。 本文件適用于氮化硅粉體中氟離子和氯離子含量的測定,測試范圍為0.0500mg/g~0.600mg/g。

Determination of fluorine ion and chloride ion in silicon nitride powder—Ion chromatography method

GB/T 42274-2022 氮化鋁材料中痕量元素（鎂、鎵）含量及分布的測定 二次離子質(zhì)譜法

本文件描述了氮化鋁單晶中痕量鎂和鎵含量及分布的二次離子質(zhì)譜測試方法。 本文件適用于氮化鋁單晶中痕量鎂和鎵含量及分布的定量測定,測定范圍為鎂、鎵的含量均不小于1×1016cm-3 ,元素含量(原子個數(shù)百分比)不大于1%。 注:氮化鋁單晶中待測元素的含量以每立方厘米中的原子個數(shù)計。

Determination of the content and distribution of trace elements (magnesium, gallium) in aluminum nitride materials—Secondary ion mass spectrometry

GB/T 42263-2022 硅單晶中氮含量的測定 二次離子質(zhì)譜法

本文件描述了硅單晶中氮含量的二次離子質(zhì)譜測試方法。 本文件適用于硼、銻、砷、磷的摻雜濃度小于1×1020 cm-3 (0.2%)的硅單晶中氮含量的測定,測定

Determination of nitrogen content in silicon single crystal—Secondary ion mass spectrometry method

GB/T 37211.3-2022 金屬鍺化學(xué)分析方法 第3部分:痕量雜質(zhì)元素的測定 輝光放電質(zhì)譜法

本文件規(guī)定了輝光放電質(zhì)譜法測定金屬鍺中痕量雜質(zhì)元素含量的方法。 本文件適用于金屬鍺中痕量雜質(zhì)元素含量的測定,測定范圍為0.001 mg/kg~2 mg/kg。

Method for chemical analysis of metal germanium—Part 3: Determination of trace impurity elements content—Glow discharge mass spectrometry

GB/T 24581-2022 硅單晶中III、V族雜質(zhì)含量的測定 低溫傅立葉變換紅外光譜法

本文件描述了用低溫傅立葉變換紅外光譜法測定硅單晶中Ⅲ、Ⅴ族雜質(zhì)含量的方法。 本文件適用于硅單晶中的Ⅲ、Ⅴ族雜質(zhì)鋁(Al)、銻(Sb)、砷(As)、硼(B)、鎵(Ga)、銦(In)和磷(P)含量的測定,各元素的測定范圍(以原子數(shù)計)為1.0×1010cm-3 ~4.1×1014cm-3 。

Test method for Ⅲ and Ⅴ impurities content in single crystal silicon—Low temperature FT-IR analysis method

GB/T 41153-2021 碳化硅單晶中硼、鋁、氮雜質(zhì)含量的測定 二次離子質(zhì)譜法

本文件規(guī)定了碳化硅單晶中硼、鋁、氮雜質(zhì)含量的二次離子質(zhì)譜測試方法。 本文件適用于碳化硅單晶中硼、鋁、氮雜質(zhì)含量的定量分析,測定范圍為硼含量不小于5×1013 cm-3、鋁含量不小于5×1013cm-3、氮含量不小于5×1015cm-3,元素濃度(原子個數(shù)百分比)不大于1%。 注1:碳化硅單晶中待測元素的含量以每立方厘米中的原子數(shù)計。 注2:碳化硅單晶中釩雜質(zhì)含量的測定可參照本文件進行,測定范圍為釩含量不小于1×1013 cm-3 。

Determination of boron, aluminum and nitrogen impurity content in silicon carbide single crystal—Secondary ion mass spectrometry

GB/T 39144-2020 氮化鎵材料中鎂含量的測定 二次離子質(zhì)譜法

本標(biāo)準規(guī)定了氮化鎵材料中鎂含量的二次離子質(zhì)譜測試方法。 本標(biāo)準適用于氮化鎵材料中鎂含量的定量分析，測定范圍為不小于 5×1014cm-3。 注 ：氮化鎵材料中的鎂含量以每立方厘米中的原子數(shù)計。

Test method for magnesium content in gallium nitride materials—Secondary ion mass spectrometry

GB/T 39145-2020 硅片表面金屬元素含量的測定 電感耦合等離子體質(zhì)譜法

本標(biāo)準規(guī)定了電感耦合等離子體質(zhì)譜法測定硅片表面金屬元素含量的方法。 本標(biāo)準適用于硅單唱拋光片和硅外延片表面痕量金屬鈉、鎂、鋁.鉀、鈣.鉻.錳.鐵、鉆、錦、銅、鋅元素含量的測定,測定范圍為 10 cm 一10 cm“。本標(biāo)準同時也適用于硅退火片、硅擴散片等無圖形 硅片表面痕量金屬元素含量的測定。 注: 硅片表面的金屬元素含量以每平方厘米的原子數(shù)計。

Test method for the content of surface metal elements on silicon wafers—Inductively coupled plasma mass spectrometry

GB/T 38976-2020 硅材料中氧含量的測試 惰性氣體熔融紅外法

本標(biāo)準規(guī)定了采用惰性氣體熔融及紅外技術(shù)測試硅材料中氧含量的方法。 本標(biāo)準適用于不同導(dǎo)電類型、不同電阻率范圍的硅單晶、多晶硅中氧含量的測試，測試范圍為2.5×1 510 cm-3（0.05ppma）～2.5×1018cm-3（50ppma）。 注 ：硅材料中的氧含量以每立方厘米中的原子數(shù)計。

Test method for the oxygen concentration in silicon materials—Inert gas fusion infrared detection method

GB/T 14849.1-2020 工業(yè)硅化學(xué)分析方法 第1部分：鐵含量的測定

GB/T14849 的本部分規(guī)定了工業(yè)硅中鐵含量的測定方法。本部分適用于工業(yè)硅中鐵含量的測定。測定范圍為:0.050%~0.75%。

Methods for chemical analysis of silicon metal—Part 1：Determination of iron content

GB/T 14849.3-2020 工業(yè)硅化學(xué)分析方法 第3部分：鈣含量的測定

GB/T14849 的本部分規(guī)定了工業(yè)硅中鈣含量的測定方法。本部分適用于工業(yè)硅中鈣含量的測定,測定范圍為:0.0050%~0.55%。

Methods for chemical analysis of silicon metal—Part 3：Determination of calcium content

GB/T 37385-2019 硅中氯離子含量的測定 離子色譜法

Test method for chloride content of silicon—Ion chromatography method

GB/T 37049-2018 電子級多晶硅中基體金屬雜質(zhì)含量的測定 電感耦合等離子體質(zhì)譜法

Test method for the content of metal impurity in electronic grade polysilicon—Inductively coupled-plasma mass spectrometry method

GB/T 37211.2-2018 金屬鍺化學(xué)分析方法 第2部分：鋁、鐵、銅、鎳、鉛、鈣、鎂、鈷、銦、鋅含量的測定 電感耦合等離子體質(zhì)譜法

Methods for chemical analysis of germanium metal—Part 2：Determination of aluminium,iron,copper,nickle,lead,cadmium, magnesium,cobalt,indium,zinc content—Inductively coupled plasma mass spectrometry method

GB/T 4059-2018 硅多晶氣氛區(qū)熔基磷檢驗方法

Test method for phosphorus content in polycrystalline silicon by zone-melting method under controlled atmosphere

GB/T 37211.1-2018 金屬鍺化學(xué)分析方法 第1部分：砷含量的測定 砷斑法

Methods for chemical analysis of germanium metal—Part 1：Determination of arsenic content—Arsenic stain method

GB/T 1557-2018 硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法

Test method for determining interstitial oxygen content in silicon by infrared absorption